Microchipが車載用AEC-Q101認定済み700/1200 V シリコン カーバイド ショットキー バリアダイオードの最新世代を発表

世界中で自動車の電動化が急速に進む今日、モータから車載充電器、DC/DCコンバータまで、幅広い高電圧車載システム向けにシリコン カーバイド（SiC）を含む革新的な電源技術が求められています。
Microchip Technology Inc.（日本法人: 東京都港区）は本日、新たに認定された700/1200 V SiCショットキー バリアダイオード（SBD）パワーデバイスを発表しました。これらのデバイスは幅広い電圧、電流、パッケージで厳しい車載品質規格を満たすソリューションを提供します。
　　
EV（電気自動車）の電源設計では高品質を維持しながらシステム効率を改善する必要があります。Microchip社のAEC-Q101認定済みデバイスはシステムの信頼性と耐久性を最大限に高め、安定した長い製品寿命を実現します。本デバイスの優れたアバランシェ性能により、外付け保護回路を簡略化し、システムコストを低減できます。
　　
「Microchip社は自動車産業のサプライヤとして長年車載向け電源ソリューションの拡充を続けており、自動車の電動化における電源系の変革をリードしています」とMicrochip社ディスクリート製品部門副社長のLeon Grossは述べています。「弊社のフォーカスは、お客様が品質、供給、サポートのリスクを最小限に抑えながらSiCに移行するのを支援することにあります。」
　　
四半世紀以上にわたりMicrochip社は自動車産業のサプライヤであり続けてきました。Microchip社のSiC技術と複数のIATF 16949:2016認証済み製造工場の柔軟な組み合わせにより高品質のデバイスを提供し、サプライチェーンのリスクを最小化します。
　　
Microchip社内とサードパーティによる信頼性テストで、他社製SiCデバイスに対する優位性を実証済みです。他社製SiCデバイスとは異なり、Microchip社製SiCデバイスはストレス条件下でも性能が劣化しない事が実証済みであり、製品寿命を延ばす事ができます。Microchip社のSiCソリューションは信頼性と耐久性で業界をリードしています。Microchip社のSiC SBD耐久性テストでは、UIS（非クランプ誘導性スイッチング）でサージ耐量が20%高いこと、高温条件でも漏れ電流が最小レベルである事が実証されており、システム寿命の延長と信頼性の改善を実現できます。
　　
Microchip社のSiC車載パワーデバイスは、幅広いコントローラ、アナログ、コネクティビティ ソリューション ポートフォリオを補完し、EVと充電ステーションのトータルシステム ソリューションを提供しています。Microchip社は、最新世代のSiCダイを使った700/1200/1700 V SiC SBDとMOSFETパワーモジュールも提供しています。さらに、dsPIC®デジタルシグナル コントローラは高性能、低消費電力、豊富な周辺機能を提供します。
AgileSwitch®デジタル プログラマブル ゲートドライバ ファミリを使うと、設計から量産までのプロセスをさらに迅速化できます。これらのソリューションは再生可能エネルギ、電力網、産業、輸送、医療、データセンター、航空宇宙および防衛システムにも応用可能です。

　　
・開発ツール
Microchip社のAEC-Q101認定済みSiC SBDデバイスはSPICEおよびPLECSシミュレーション モデルとMPLAB® Mindi TM アナログ シミュレータでサポートされています。電源段にMicrochip社のSBD （1200 V、50 A）を使ったPLECSリファレンス デザインも提供しています（Vienna 三相力率改善回路（PFC）リファレンス デザイン）。
　　
・在庫/供給状況
Microchip社の車載アプリケーション向けAEC-Q101認定済み700/1200 V SiC SBDデバイスは本日より量産受注を開始いたします。パワーモジュール向けのダイとしても提供いたします。

詳細　https://www.microchip.com/design-centers/power-management/silicon-carbide-sic-devices-and-power-modules