EV Groupがヘテロ集積化のプロセスギャップ解決に必須なダイ・ツー・ウェーハ ハイブリッド／フュージョン接合のデモンストレーションに成功

EVGのヘテロジニアス・インテグレーション・コンピテンスセンター™で実施されたダイ・ツー・ウェーハ 一括接合実験において、全行程を通じ2µm以下の配置制度十章に成功

MEMSナノテクノロジー、半導体デバイス製造向けウェーハ接合及びリソグラフィ装置のリーディングサプライヤーであるEV Group（EVG、オーストリアザンクト・フローリアン）は、既存EVGウェーハ接合技術とプロセスおよび接合層材料を利用したダイ・ツー・ウェーハ（D2W）ハイブリッド/フュージョン一括接合において、プロセスフロー全体を通じ2ミクロン以下の配置精度を実証したことを発表しました。EVGのヘテロジニアス・インテグレーション・コンピテンスセンター™で実証されたこの成果は、次世代2.5D及び3D半導体パッケージにヘテロ集積化（HI）の適用を加速させる為の重要なマイルストーンです。
　　
EVG本社に設置されたへテロジニアス・インテグレーション・コンピテンスセンターは、コンサルティングサービスから技術検証やデモンストレーション、プロセス開発サポート、さらにパイロット生産サービスまでを提供しています。また、お客様がヘテロ集積化や先端パッケージングを利用して技術開発を加速させ、リスクを最小限に抑え、技術と製品の差別化を図れるよう、オープンアクセスなイノベーション・インキュベーターとして位置付けられています。
一方で、リリース前の製品開発に必要とされる最高水準のIP保護を保証いたします。当センターが注力　するのは、ウェーハ・ツー・ウェーハ（W2W）接合およびD2W統合といった異なる2つのアプローチに関連した　全てのプロセスと統合化技術です。
　　
人工知能、自動運転、拡張/仮想現実、5Gなどといった最先端のアプリケーションでは、高帯域幅で高性能な低消費電力デバイスを生産コストを上げずに開発することが常に求められています。従来の2Dシリコンスケーリングが製造コストの問題に直面し、半導体産業はヘテロ集積化による製造へと移行しつつあります。
つまり、１つのデバイスもしくはパッケージ内に、さまざまなサイズ・材質による異なる部品やダイを複数集積することで、次世代デバイスの性能向上を図ろうとしています。
D2W一括接合はヘテロ集積化に必須なプロセスであり、3D-ICs、チップレットやセグメント化された3Dシステムオンチップ（SoC）デバイスといった新タイプのデバイスを低コストで製造するため、機能層や良品ダイ（KGD）のトランスファーを可能にします。
　　
EVGの知的財産・技術開発本部のディレクターを務めるMarkus Wimplingerは次のように述べています。
「EVGはヘテロ集積化への進歩をサポートするため、20年以上にわたり実証済みのソリューションと専門知識を提供してきました。D2W接合もその一つであり、当社の技術が多くの量産アプリケーションで採用されています。へテロジニアス・インテグレーション・コンピテンスセンターは、世界規模のネットワークを持つ、私たちのプロセステクノロジーチームにより支えられています。
新たに3D/ヘテロ集積化を用いた製品やソリューションをEVGと　共に開発するお客様やパートナー様に対し、開発基盤を提供することにより、私たちは必要不可欠な機能を強化いたします。これらの一環として、新しいD2W一括接合によるアプローチがあり、この度は弊社のウェーハ接合および剥離、計測および洗浄プロセス装置の他、開発パートナーより選定した他社機器を使用し、主要な全ての工程を高い配置精度と歩留で実行可能であることを証明いたしました。私たちは、この重要な成果を実現するためサポートしていただきましたパートナーの皆様に感謝申し上げます。また特にこのデモンストレーションで使用した基板をご提供いただきましたIRT NanoelecとCEA-Letiへ感謝申し上げます」