STマイクロエレクトロニクスが新しいRF LDMOSパワー・トランジスタを発表

STマイクロエレクトロニクスは、さまざまなパワー半導体を含む製品ファミリ「STPOWER」のLDMOSトランジスタに、幅広い商用・産業アプリケーションのRFパワー・アンプ（PA）向けに最適化された3つの製品シリーズを追加しました。
　　　
STPOWER LDMOSトランジスタは、高効率と低熱抵抗を特徴とし、高いRFパワーに対応したパッケージで提供されています。短い伝導チャネル長と高いブレークダウン電圧を兼ね備えているため、低消費電力・高信頼性・高コスト効率のソリューションを実現します。
　　　
今回追加されたIDCHおよびIDDEシリーズは、28V / 32VコモンソースNチャネル・エンハンスメント型の横型電界効果RFパワー・トランジスタで、幅広いアプリケーションに対応します。
IDCHシリーズは、8W〜300Wの出力を備え、2.45GHzのISM（産業 / 科学 / 医療）バンド、ワイヤレス・インフラストラクチャ、衛星通信、および航空電子機器やレーダーなど、最大4GHzのアプリケーション向けに設計されています。これらのLDMOSトランジスタは、あらゆる変調方式に対応します。
　　　
IDDEシリーズは、商用 / 産業 / 科学分野における最大周波数1.5GHzの広帯域アプリケーション向け製品です。10W〜700W出力の製品が含まれており、全位相を通じて10:1の負荷VSWR（電圧定在波比）に対する耐性を備えています。
一般的なすべての変調方式と、A級、AB級、C級を含む幅広いクラスのRFパワー・アンプに適しています。高い電力効率により、要求される出力の供給に必要な電力を最小限に抑え、運用コストや熱損失の削減に貢献します。これにより、温度管理が簡略化され、システム全体の小型化にも貢献します。
　　　
IDEVシリーズは、50VコモンソースNチャネル拡張モードの横型電界効果RFパワー・トランジスタ技術を採用した製品シリーズで、15W〜2.2kWの出力を備えています。高出力CO2レーザー、プラズマ・ジェネレータ、MRIシステム、FMラジオ放送送信機（88MHz〜108MHz）の駆動といった最大周波数250MHzのISMバンド・アプリケーションや、最大周波数1.5GHzの航空電子機器およびレーダー向けに設計されています。
一般的なすべての変調方式と、A級、AB級、C級を含む幅広いクラスのRFパワー・アンプ動作に適しています。
　　　　
堅牢かつ高出力のIDEVシリーズは、最大2.2kWの連続波（CW）出力が可能で、HF（3MHz〜30MHz）から250MHzまでの周波数範囲に対応しています。単一のセラミック・パッケージで高い出力を供給することができるため、放送送信機などの高出力アプリケーションに必要なRFパワー・トランジスタ数の削減に貢献します。また、82%を超える電力効率によりシステムに必要となる電力を最小限に抑え、温度管理の簡略化や信頼性の向上にも貢献します。
　　　　
STは、3シリーズ全体で合計30品種の新しいSTPOWER RF LDMOSトランジスタを追加しました。これらの新製品はさまざまな業界標準パッケージで提供され、参考サンプル価格は約15ドル〜約100ドルです。
　　　
詳細　https://www.st.com/ja/radio-frequency-transistors/stpower-rf-ldmos-transistors.html?icmp=tt22288_gl_pron_jul2021