NexperiaがUSB4標準インターフェース向け超低クランプ双方向ESD保護デバイス発表

新TrEOSダイオード、業界をリードする挿入/反射損失特性によりUSB4(TM)データ伝送の堅牢性を向上

必要不可欠な半導体のエキスパートであるNexperia（本社：オランダ、ナイメーヘン）は、PESD5V0R1BxSF超低クランプ/キャパシタンス双方向静電放電（ESD）保護ダイオード2製品を発表しました。新製品はNexperiaのTrEOS技術とアクティブ・シリコン制御整流を採用しており、ノートPCとペリフェラル、スマートフォン、その他ポータブル電子機器のUSB4™（最大2 x 20Gbps）データライン向けに最適な信号品質を提供します。
　　　　
Nexperiaのシニア・プロダクト・マネージャーのStefan Seiderは、次のように述べています。
「USB4™ SuperSpeedラインについては挿入/反射損失の制約が厳しいことから、Nexperiaはこうした全般的に厳しい要件の下でESD保護の影響を最小に抑える製品を提供し、設計エンジニアをサポートします。今回発表した2製品により、エンジニアはESDの電圧クランプ（保護レベルに相当）とRF性能のバランスを確保することができます」。
　　　　　
新製品のPESD5V0R1BDSFは低クランプ向けに最適化されており、10GHz時に-0.28dBの超低挿入損失と-19dBの超低反射損失を提供します。もう1つの新製品のPESD5V0R1BCSFはRF性能向けに最適化されており、10GHz時に-0.25dBの挿入損失データと-19.4dBの反射損失データを提供します。このため、挿入/反射損失の要件が極めて厳しいアプリケーションに最適です。
　　　　　
両製品とも超低インダクタンスのDSN0603-2（SOD962-2）リードレス・パッケージに封止されており、標準の0.6 x 0.3mmフットプリント、0.3mmの厚さで、反射損失を最適化したハンダ・パッドを備えています。USB4™では、レシーバ（Rx）入力向けにもAC結合コンデンサの使用が義務付けられています。PESD5V0R1BxSFは2.8Vを超える定格電圧VRWMにより、これらのコンデンサの保護と最高のシステムレベルESD性能実現のために最適な箇所である、コネクタのすぐ背後への配置が可能です。この定格電圧により、PESD5V0R1BxSFはUSB Type-C(R)での接続が可能なすべての規格との後方互換性を確保しています。
USB4™のほか、最大48Gbps（4 x 12）に対応するHDMI2.1データレートと最大40Gbps（2 x 20）のThunderbolt™に対応するUSB3.2、前世代のUSB3.x、Thunderbolt™とHDMI2.1®（HDMI® Alt Mode）データラインも含まれます。同時に、TrEOS技術は超低ESDクランプ電圧を提供し、センシティブなトランシーバを保護します。
　　　　　
新PESD5V0R1BxSF ESD保護デバイスの製品仕様やデータシートなどの詳細については、http://www.nexperia.com/USB4protection をご覧ください。