オンセミがサーバやテレコム向けの高性能・低損失 MOSFET「SUPERFET V」ファミリを発表

優れたスイッチング特性を持ち、80 PLUS Titaniumの効率を満たす電源を実現

インテリジェントなパワーおよびセンシン グ技術のリーディング・サプライヤであるオンセミ（onsemi、本社　米国アリゾナ州フェニックス）は、新製品600V MOSFET「SUPERFET® V」ファミリを発表しました。この高性能デバイスは、特に要求が厳しい 10% 負荷条件において、80 PLUS Titaniumのような厳しい効率の規制を満たす電源を実現します。「600 V SUPERFET」ファミリを構成する3つの製品グループ、 FAST、Easy Derive、FRET により、さまざまなアプリケーションやトポロジーにおいてクラス最高の性能を発揮できるように最適化されています。
　　　　　
「600V SUPERFET V」ファミリは、優れたスイッチング特性と低ゲートノイズにより、EMI（電磁干渉）性能が向上しており、サーバやテレコムのシステムに大きなメリットをもたらします。さらに、堅牢なボディダイオードと高いVGSS（DC ± 30 V）により、システムの信頼性も向上しています。
　　　　　
オンセミのアドバンストパワー・ディビジョンでシニア・バイスプレジデント兼ジェネラル マネー ジャを務めるアシフ・ ジャクワニ（Asif Jakwani） は、次のように述べています。
「気候変動への対応を目的とした 80 Plus Titanium 認証では、サーバやデー・ストレー ジのハードウェアに、10%の負荷条件で 90%の電力効率レベルを、50%の負荷条件では 96%の電力効率レベルを提供することが求められています。当社のSUPERFET VファミリのFAST、Easy drive、FRFETバージョンは、これらの要求を満たし、継続的なシステムの信頼性を保証する堅牢なソリューションを提供します」
　　　　　　　
FASTバージョンは、ハイエンドPFCなどのハードスイッチングトポロジーにおいて究極の効率性を提供し、高速スイッチングを可能にするためにゲートチャージ（Qg）とEOSS損失を低減するように最適化されています。当初の製品は、「NTNL041N60S5H」（41mΩ RDS(on)）と「NTHL185N60S5H」（185mΩ RDS(on)）で、ともにTO-247パッケージで提供されます。また、「NTP185N60S5H」はTO-220パッケージで提供され、「NTMT185N60S5H」はMSL1を保証する8.0mm×8.0mm×1.0mmのPower88パッケージで提供されます。 Power88パッケージは、ゲートノイズとスイッチング電力損失を改善するためにケルビンソース構成を採用しています。
　　　　　　　
Easy Driveバージョンは、ハードおよびソフトスイッチングトポロジの両方に適しており、内部ゲート抵抗（Rg）と最適化された内部容量を含んでいます。これらの製品は、PFCやLLCを含む多くのアプリケーションでの汎用的な使用に適しています。これらのデバイスでは、ゲート／ソース電極間に120mΩ RDS(on)以上のツェナーダイオードが内蔵されているため、ゲート酸化膜へのストレスが少なく、ESD耐性が高いため、組み立て時の歩留まりが良く、フィールドでの故障が減少します。現在、RDS(on)が99mΩ の「NTHL099N60S5」と、120mΩ の「NTHL120N60S5Z」の2種類のデバイスが用意されており、いずれもTO-247パッケージで提供されます。
　　　　　
高速リカバリー（FRFET®）バージョンは、フェーズシフト・フルブリッジ（phase-shifted full bridge、PSFB）やLLCなどのソフトスイッチングトポロジに適しています。FRFET®バージョンは、高速ボディダイオードを採用しており、QrrとTrrの低減を実現しています。ダイオードの堅牢性により、システムの信頼性を高めています。ツェナーダイオードを内蔵した「NTP125N60S5FZ」はTO-220パッケージで125mΩ のRDS(on)を、「NTMT061N60S5F」はPower88パッケージで61mΩ のRDS(on)を実現しています。最も低損失のデバイスは、TO-247パッケージでRDS(on)がわずか19mΩ の「NTHL019N60S5F」です。

オンセミ （onsemi）
www.onsemi.jp