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インフィニオンが新しいフォームファクタ、オンステート抵抗、スイッチング性能の標準となるPQFN 2x2 OptiMOS™ 5 25 V/30 Vソリューション発表

2022.3.14  4:07 pm

インフィニオンが新しいフォームファクタ、オンステート抵抗、スイッチング性能の標準となるPQFN 2x2 OptiMOS™ 5 25 V/30 Vソリューション発表

ディスクリート パワーMOSFET技術における新しい技術標準の確立に取り組むインフィニオン テクノロジーズは、新しいPQFN 2 × 2 mm2 OptiMOS™ 5 25 Vおよび30 V製品ファミリーを発表しました。薄型ウエハ技術とパッケージング イノベーションを組み合わせたこの新しいデバイスは、非常に小さなフォーム ファクターで大きな性能上の利点を実現します。OptiMOS™ 5 25 Vおよび30 Vは、サーバ、テレコム ブリック、ポータブル充電器、ワイヤレス充電などのSMPS(スイッチド モード電源)における同期整流用に最適化されています。また、パワーMOSFETは、フォーム ファクターの小型化と部品の軽量化が求められるドローンの小型ブラシレス モーター用電子速度制御(ESC)向けに設計されています。
      
クラス最高のPQFN 2x2デバイスは、業界最小のオンステート抵抗で、新しい電力密度とエネルギー効率の高い次元を実現します。2 x 2 mm2の小さなパッケージフットプリントは、PCBレイアウトの配線自由度を高めます。優れた電気的性能と相まって、このソリューションは、最終アプリケーションの電力密度およびフォームファクタの改善にさらに貢献します。さらに、システム温度の低減と性能の向上により、熱管理にも配慮しています。これらの特徴は、お客様のアプリケーションの全体的な小型化に貢献し、大幅な省スペース化、システムコストの削減、設計の容易な製品化を可能にします。
     
・供給体制について
OptiMOS™ 5 25 Vおよび30 VパワーMOSFETファミリーのPQFN 2x2ファミリーは販売されています。
PQFN 2×2 25 V: 2 × 2 mm2, RDS(on) 2.4 mΩ (ISK024NE2LM5)
PQFN 2×2 30 V: 2 × 2 mm2, RDS(on) 3.6 mΩ (ISK036N03LM5)
       
・OptiMOS™ 5 25 V/30 V詳細
https://www.infineon.com/cms/jp/product/power/mosfet/n-channel/optimos-and-strongirfet-latest-family-selection-guide/optimos-5-25v-30v/
・インフィニオンのエネルギー効率への貢献に関する詳細情報
https://www.infineon.com/cms/jp/about-infineon/energy-efficiency-technologies/