テレダイン・レクロイが1.5%のシステム精度を実現するGaNおよびSiC半導体解析の測定システム発表

新製品1GHzプローブと12ビット高分解能オシロスコープおよびテスト・ソフトウェアのシステムで、ワイドバンドギャップ半導体のテストに究極の精度を提供

テレダイン・レクロイ（東京都府中市）は、本日、新しい1GHz高電圧光アイソレーション・プローブDL-ISOおよびパワーデバイス・テスト・ソフトウェアの発売を発表しました。
この新製品プローブとソフトウェア、高分解能12ビット・オシロスコープを組み合わせることにより、窒化ガリウム（GaN）と炭化ケイ素（SiC）パワー半導体デバイスの電気特性を1.5%という極めて高い精度で評価することができます。

ユーザーが電源やシステムの小型・軽量化を求め、政府が高効率化を義務付ける中、30年以上にわたり、シリコン（Si）MOSFET や絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）のパワー半導体デバイスを用いた電源や電力変換システムが製造されてきました。
GaNやSiCなどのワイドバンドギャップ（WBG）材料は、半導体デバイスのスイッチング速度がSiの10倍以上となり、小型・軽量化と高効率化の両者を実現する最適な材料です。しかし、いまだWBG半導体に不慣れなエンジニアも多く、より広い測定帯域と、半導体デバイスの正確で詳細な解析が求められています。
　　　　　　　
テレダイン・レクロイが提供する新製品DL-ISO高電圧光アイソレーション・プローブは、設計エンジニアに最も信頼性の高いGaNおよびSiCパワー半導体デバイスの測定を提供することができます。
また、今回リリースする新しいプローブは、高い信号忠実度、最小のオーバーシュート、高精度を備え、テレダイン・レクロイの12ビット高分解能オシロスコープと組み合わせたシステム上で、1.5%の高い精度を達成します。
　　　　　　　　
DL-ISO高電圧光アイソレーション・プローブの主な主な特徴
・帯域幅 1GHz
・GaN、SiC デバイスに最適
・システム精度 1.5%
・立ち上がり時間 435ps
・高CMRR - 160dB
・柔軟な接続オプション
・AutoZero時着脱不要
　　　　　　
高電圧光アイソレーション・プローブDL-ISOの詳細
https://teledynelecroy.com/japan/products/probes/dl-iso/default.asp