インフィニオンがCoolSiC™ポートフォリオを2kVクラスに拡大、DC1500Vアプリケーション向けのシンプルで高電力密度のソリューションを実現

高電力密度に対する要求の高まりにより、アプリケーション設計において1500VのDCリンクを採用し、インバータあたりの定格電力増加やシステムコスト低減を図っています。しかし、DC 1500 Vベースのシステムは、高DC電圧での高速スイッチングなど、システム設計上の課題も多く、一般的にマルチレベル トポロジーが必要とされています。このため、設計が複雑化し、部品点数も比較的多くなります。
この課題に対処するため、インフィニオン テクノロジーズは、次世代の太陽光発電、EV充電、エネルギー貯蔵システムの基盤となる高電圧ソリューションを備えたCoolSiC™ ポートフォリオを拡充しました。
　　　　　
CoolSiCのポートフォリオ拡張で、2 kV　SiC(炭化ケイ素) MOSFETと、最大DC 1500 Vのアプリケーション向けの2 kV　SiC ダイオードを新たに提供します。新しいSiC MOSFETは、低スイッチング損失と高ブロッキング電圧の両方を1つのデバイスにまとめ、DC 1500Vシステムの要件に最適に対応することができるようになりました。
新しい2kV CoolSiCテクノロジーは、低オン抵抗（RDS(on)）値を実現し、また、頑丈なボディダイオードはハードスイッチングに適しています。この技術により、過電圧に対する十分なマージンを確保し、1700VのSiC MOSFETと比較して、宇宙線によるFIT率を10分の1に低減することができます。さらに、ゲート電圧の動作範囲が広いため、使い勝手の良いデバイスとなっています。

この新しいSiC MOSFETチップは、先日発表したインフィニオンの最新のSiC MOSFET技術であるM1Hをベースにしています。この最新技術により、ゲート電圧の駆動範囲が大幅に拡大され、特性オン抵抗が改善されました。同時に、この大きなゲート電圧範囲は、高いスイッチング周波数においても、ドライバやレイアウトに起因するゲート電圧のピークに対して、制約なく高い堅牢性を提供します。インフィニオンはまた、2kVのSiC MOSFET向けに、最大2.3 kVの絶縁型EiceDRIVER™ゲート ドライバのラインナップを提供しています。
　　　　　　
・供給体制について
2 kV CoolSiC MOSFETのサンプルは、EasyPACK™ 3Bおよび62mmモジュールで現在入手可能であり、その後新しい高電圧ディスクリートTO247-PLUSパッケージで入手できます。さらにインフィニオンは、2.3 kV絶縁対応のEiceDRIVERによるデザインイン エコシステムを提供します。1500 VのPVストリング インバータのMPPTステージとして機能する4つの昇圧回路を備えたパワーモジュール、Easy 3B（DF4-19MR20W3M1HF_B11）の生産開始は2022年第3四半期、ハーフブリッジ構成の62mmモジュール（3、4、6 mΩ）は第4四半期に予定されています。受賞歴のある最新の.XT相互接続技術を利用したディスクリートデバイスは、2022年末に発売予定です。
詳細　
https://www.infineon.com/cms/jp/product/technology/silicon-carbide-sic/
　　　　　　　　
インフィニオンのエネルギー効率への貢献
https://www.infineon.com/cms/jp/about-infineon/energy-efficiency-technologies/