UnitedSiC（現Qorvo社）、業界最高水準の性能指数を持つ1200V第４世代SiC FETを発表

Qorvo® 社は、業界最高レベルのオン抵抗を持つ UnitedSiCが開発した1200V シリコンカーバイト (SiC) 電界効果トランジスタ (FET) の次世代シリーズを発表しました。1200V Gen4 SiC FETの新シリーズUF4C/SCは、電気自動車用車載充電器、産業用充電器、産業用電源、DC/DCソーラーインバータ、さらに溶接機、無停電電源、誘導加熱アプリケーションなどの主流800Vバスアーキテクチャに理想的なFETです。

Qorvo社のUnitedSiCでパワーデバイス担当チーフエンジニアを務めるAnup Bhallaは、次のように述べています。
「1200V の製品群をより高性能な Gen4 オプションとして拡張することで、バス電圧設計を 800V に移行しているエンジニアにより良いサービスを提供することができるようになりました。電気自動車では、より高い電圧への移行は避けられません。4種類のRDS（on）を持つこれらの新しいデバイスは、設計者があらゆる設計に最適なSiCを選択するために貢献します」
　　　　　
クラス最高のSiC FETの性能指数を持つ新UF4C/SCシリーズの特長

すべてのRDS(on)オプション（23、30、53、70 mΩ）は、業界標準の4リード・ケルビンソースTO-247パッケージで提供され、より高い性能レベルでよりクリーンなスイッチングを提供します。53 mΩと70 mΩのデバイスは、TO-247 3リード・パッケージでも提供されます。このシリーズの製品は、先進的な銀焼結ダイアタッチと先進的なウェハ薄化プロセスを使って、高度に熱性能を管理することにより優れた信頼性を備えています。
　　　　　　
1200V SiC FETにはすべて、無料のオンライン設計ツールであるFET-Jet Calculator™がサポートされており、さまざまなAC/DCおよび絶縁/非絶縁DC/DCコンバータのトポロジーで使用した場合のデバイスの効率、熱損失、ジャンクション温度の上昇を直ちに評価することが可能です。また、最適なソリューションを実現するために、ユーザー指定の放熱条件下で、単体使用と並列使用した場合とを比較することができます。
　　　　　　
　　　　　　
Qorvo社について
Qorvo社 (Nasdaq: QRVO) は、コネクティビティの中核をなす革新的な無線周波数（RF）ソリューションを提供することで、より良い世界を実現します。製品および技術のリーダーシップ、システムレベルの専門知識、グローバルな製造規模を組み合わせ、お客様の最も複雑な技術的課題を迅速に解決しています。Qorvo社は、高度なワイヤレス機器、有線およびワイヤレスネットワーク、防衛レーダーおよび通信など、大規模な世界市場の多様な高成長セグメントにサービスを提供しています。また、独自の競争力を活用して、5G ネットワーク、クラウドコンピューティング、モノのインターネット、および人、場所、モノを相互接続するグローバルな枠組みを拡大するその他の新たなアプリケーションを推進しています。
詳細　www.qorvo.com