Nexperiaが要求の厳しい電力変換アプリケーションに対応した最先端の650V シリコン・カーバイド・ダイオードを発表

Nexperia（本社：オランダ、ナイメーヘン）は超高性能、低損失、高効率が求められる電源アプリケーション向けの650Vシリコン・カーバイド（SiC）ショットキー・ダイオードを発表しました。
10A、650VのSiCショットキー・ダイオードは高電圧/大電流アプリケーションにおける要求の厳しい課題に対応する産業グレードの部品です。そのアプリケーションにはスイッチング電源、AC-DC、DC-DCコンバータ、バッテリ充電インフラ、無停電電源、太陽光発電インバータなどがあり、持続可能な運用を可能にします。
たとえば、NexperiaのSiCショットキー・ダイオード「PSC1065K」を用いた電源を備えたデータセンターは、シリコンベースのソリューションのみを用いた電源を備えたデータセンターよりも、厳しいエネルギー効率基準を満たすことができます。
　　　　　
PSC1065Kは温度に依存しない容量性スイッチングとゼロリカバリ動作により、優れた性能指数（QC x VF）を実現し、最先端の性能を提供します。その優れたスイッチング性能は、電流やスイッチング速度の変動にほとんど依存しません。PSC1065Kが備えるMPS（Merged PiN Schottky）構造はサージ電流に対して優れた堅牢性を持っているため、追加の保護回路が不要になるなどのメリットもあります。
これらの特長を生かすことで、システムの複雑さが大幅に軽減されるため、ハードウェア設計者は堅牢性が求められるハイパワー・アプリケーションにおいて、小さなフォームファクタで高い効率を達成することができます。
さらに、Nexperiaは広範な半導体技術における高品質な製品のサプライヤーとして定評があるため、設計者は安心して使うことができます。
　　　　　　
このSiCショットキー・ダイオードはリアル2-pin（R2P）TO-220-2スルーホールのパワープラスチックパッケージに封止されています。さらに、表面実装（DPAK R2P、D2PAK R2P）、スルーホール（TO-247-2）のパッケージ・オプションが用意されており、最高175℃の温度における高電圧アプリケーションでの信頼性を高める2ピン構成になっています。
　　　　　　
NexperiaのSiC製品グループ担当シニアディレクターのKatrin Feurleは「私たちは現在入手可能なソリューションの中でトップクラスにある高性能なSiCショットキー・ダイオードを提供できることを嬉しく思います。エネルギーに対する意識が高まり、大量生産、高効率のアプリケーションに対する需要が大きく高まる中で、私たちは多くの選択肢と可用性を市場に提供しています」と述べました。
　　　　　　　
Nexperiaは動作電圧が650Vと1200V、動作電流が6～20Aの車載グレード製品を含め、SiCダイオードのポートフォリオを継続的に拡充していく予定です。新しいSiCダイオードのサンプル出荷と量産は開始済みです。
　　　　　　　
詳細
www.nexperia.com/sic_diodes