Nexperiaが低電圧/高電圧アプリケーション向けeモードGAN FETを発表

業界で唯一、カスコードモードGaN FETとeモードGaN FETの両方を提供

Nexperia（本社：オランダ、ナイメーヘン）は低電圧（100/150V）と高電圧（650V）のアプリケーション向けにeモード（エンハンスメントモード）で構成された初のパワーGaN FETを発表しました。
Nexperiaはカスコード製品に7つの新しいe-modeデバイスを追加し、シリコンベースのパワー・エレクトロニクス部品で構成された豊富なポートフォリオを持つ単一のサプライヤとして、設計者にGaN FETの最適な選択肢を提供します。
　　　　　　
Nexperiaのポートフォリオに追加された新製品は5種類の650V定格のeモードGaN FET（RDS（on）値：80mΩ～190mΩ）で、5x6mmのDFNと8x8mmのDFN パッケージで提供されます。新製品は高電圧（650V未満）、低電力のデータ通信機器、民生用充電器、ソーラー発電、産業用アプリケーションにおける電力変換効率を向上させます。高いトルクと出力を備えた高精度のブラシレスDCモータやマイクロサーバー・ドライブの設計にも使用できます。
　　　　　　
また、NexperiaはWLCSP8パッケージに封止された100V（3.2mΩ）GaN FETとFCLGAパッケージに封止された150V（7mΩ）デバイスも提供を開始しました。これらのデバイスは低電圧（150V未満）、高電力の広範なアプリケーションに適しており、たとえばデータセンター用DC-DCコンバータの効率向上、充電（eモビリティやUSB-C）の高速化、LiDARトランシーバの小型化、クラスDオーディオアンプのノイズ低減、携帯電話やノートパソコン、ゲーム機などのコンシューマ・デバイスの電力密度向上を実現します。
　　　　　
GaN FETはさまざまな電力変換アプリケーションにおいて、最もコンパクトなサイズで最高の電力効率を実現するソリューションを提供し、部品表（BOM）を大幅に削減する特長を持っています。そのため、GaNデバイスはサーバー・コンピューティング、産業オートメーション、コンシューマ、通信インフラなど、パワー・エレクトロニクスの主流市場への普及が進んでいます。GaNベースのデバイスは最速の遷移/スイッチング能力（最高のdv/dtとdi/dt）を備え、低電力/高電力変換アプリケーションで優れた効率を発揮します。
NexperiaのeモードGaN FETの優れたスイッチング性能は非常に低いQgとQOSS値によるもので、低オン抵抗（RDS（on））により電力効率の高い設計が可能です。
　　　　　
今回のリリースにより、Nexperiaは高電圧/高出力電源アプリケーション向けのカスコード・デバイス、高電圧/低出力電源アプリケーション向けの650V eモード・デバイス、低電圧/高出力電源アプリケーション向けの100/150V eモード・デバイスなど、先端技術製品に最適な幅広いパワー・アプリケーションに対応する多様なGaN FET製品ラインナップがそろいました。さらに、Nexperiaのe-mode GaN FETは生産能力の高い、JEDEC規格準拠の産業用アプリケーションに適合した8インチのウェハ・ラインで製造されます。
今回のGaN製品ラインナップの拡充はNexperiaが高品質のシリコンとワイドバンドギャップ技術にコミットしている証となっています。
　　　　　　
詳細
nexperia.com/e-mode-gan-fets