Microchip社がmSiC™ソリューションを拡充、高電圧SiCパワーモジュールの採用を促進する3.3 kV XIFMプラグアンドプレイmSiCゲートドライバを発表

あらゆるモノの電動化が進む中、輸送機関、送配電網、重量車等の中/高電圧アプリケーションでSiC（シリコン カーバイド） テクノロジの採用が広がっています。SiCソリューションを導入する開発者を支援し、開発プロセスを迅速化するため、Microchip Technology Incorporated（日本法人: 東京都港区浜松町、以下Microchip社）は、特許取得済みのAugmented Switching™技術を搭載し、設計と評価にかかる時間を大幅に短縮するために事前設定済みのモジュール設定を使ってすぐに動作するよう設計された3.3 kV XIFMプラグアンドプレイmSiC™ゲートドライバを発表しました。
　　　　　　　　　
市場投入期間を短縮するため、このプラグアンドプレイ ソリューションはゲートドライバの回路の設計、テスト、認定等の複雑な開発作業が既に完了しています。XIFMデジタル ゲートドライバはデジタル制御、内蔵電源、ノイズ耐性を高める堅牢な光ファイバ インターフェイスを特長とする小型のソリューションです。このゲートドライバにはモジュール性能を最適化するよう調整された「ターンオン/オフ」ゲート駆動プロファイルがあらかじめ設定されています。
　　　　　　　　　　　　　　
このゲートドライバは10.2 kV耐圧の一次/二次間強化絶縁を備え、温度およびDCリンク監視、UVLO（低電圧ロックアウト）、OVLO（過電圧ロックアウト）、短絡/過電流保護（DESAT）、NTC温度監視等の監視および保護機能を内蔵しています。鉄道アプリケーションの主要仕様であるEN 50155にも準拠しています。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
「シリコン カーバイド市場が拡大を続け、高電圧の限界を塗り替え続ける中、Microchip社の3.3 kVプラグアンドプレイmSiCゲートドライバ等のターンキー ソリューションを使う事で電源システム開発者はワイド バンドギャップ テクノロジを容易に採用できます」とMicrochip社シリコン カーバイド事業部門担当副社長のClayton Pillionは述べています。
「このソリューションではゲート駆動回路が事前設定されているため、従来のアナログ ソリューションに比べて設計期間を最大50%短縮できます」
　　　　　　　　　　　　　　　　　
Microchip社は20年以上にわたるSiCデバイスと電源ソリューションの開発、設計、製造、サポート経験を活かし、お客様がSiCを簡単迅速、かつ自信を持って導入できるようお手伝いします。Microchip社のmSiCTM製品にはSiC MOSFET、ダイオード、ゲートドライバがあり、標準オプション、変更オプション、カスタム オプションを選択できます。

SiCポートフォリオ詳細
https://www.microchip.com/en-us/products/power-management/silicon-carbide-sic-devices-and-power-modules
　　　　　　　　　　　　
Microchip Technology社
https://www.microchip.com