インフィニオンがCoolSiC™ MOSFET 750 V G1を発表　車載および産業ソリューションの進歩に貢献

インフィニオン テクノロジーズは、産業および車載電力アプリケーションの効率および電力密度の向上を求める需要の高まりに応えるため、750 V G1ディスクリートCoolSiC™ MOSFETを発表しました。本製品ファミリーには、トーテムポール型PFC、タイプT、LLC/CLLC、デュアル アクティブ ブリッジ (DAB)、HERIC、バック/ブースト、および位相シフト フル ブリッジ (PSFB) トポロジーに最適化された産業用および車載用の両グレードのSiC MOSFETが含まれています。
このMOSFETは、電気自動車 (EV) 充電、産業用駆動装置、太陽光発電およびエネルギー貯蔵システム、固体回路遮断器、UPSシステム、サーバー/データセンター、通信といった代表的な産業用アプリケーション、および車載充電器 (OBC)、DC-DCコンバーターといった自動車セクターの両方で使用するのに最適です。
　　　　　　　　　
CoolSiC™ MOSFET 750 V G1テクノロジーは、卓越したRDS(on) x Qfrおよび優れたRDS(on) x Qoss性能指数 (FOM) を実現し、ハード スイッチング トポロジーとソフト スイッチング トポロジーのそれぞれで極めて高い効率を発揮します。高い閾値電圧 (VGS(th)、Typ.: 4.3 V) と低いQGD/QGS比を独自に組み合わせて寄生ターンオンに対する高い堅牢性を確保し、ユニポーラ ゲート駆動を実現して電力密度を高め、システム コストを削減します。
すべてのデバイスが、同等のダイ サイズに対して卓越した熱インピーダンスを提供するインフィニオン独自のダイ アタッチ テクノロジーを使用します。信頼性の高いゲート酸化物設計とインフィニオンの適格性基準を組み合わせ、堅牢で長期的なパフォーマンスを実現しています。
　　　　　　　　　　　　
この新しいCoolSiC™ MOSFET 750 V G1製品ファミリーは、25℃で8～140 mΩのRDS(on)に対応するきめ細かなポートフォリオを提供して広範なニーズに対応します。また、その設計により導通損失やスイッチング損失を減らし、システム全体の効率を高めます。革新的なパッケージは熱抵抗を最小限に抑え、熱放散を容易に効率化し、回路内の電力ループ インダクタンスを最適化して、高い電力密度とシステム コストの削減を実現します。本製品ファミリーには、最先端のQDPAK上面放熱 (トップサイド冷却、TSC) パッケージを使用している点も重要です。
　　　　　　　　　　　　　　　
詳細
www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes